国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司（国家大基金二期）已于2019年10月22日注册成立，注册资本为2041.5亿元，共27位股东，均为企业法人类型。从投向上看，二期或致力于打造自主可控的集成电路产业链。
大基金二期投资三大布局
根据相关数据统计，从投资领域来看，大基金一期以IC制造为主，具体分布为：集成电路制造行业占比67%，包括中芯国际、长江存储等；设计行业占比 17%，包括汇顶科技、兆易创新、中兴微电子等；封测占比 10%，包括长电科技、华天科技、通富微电等；设备和材料占比仅 6%，包括北方华创、中微半导体、安集科技、雅克科技等。从投资模式来看，大基金一期的投资方式包括公开股权投资、非公开股权投资、协助并购以及投资相关子基金公司等等，其中公开投资公司为23家，未公开投资公司为29家，累计有效投资项目达到70个左右。
业内人士表示，从投向上看，国家大基金一期偏重于对资金需求度更高的制造环节，并且重点投向了国内龙头企业，例如对中芯国际的承诺投资便达到了约215亿元，长江存储达到190亿元，华力微电子约116亿元。在国家大基金二期投向上，除继续支持制造环节外，将重点投向设备材料、下游应用等领域。
今年9月初的半导体集成电路零部件产业峰会上，国家大基金透露了未来大基金投资的三方面重点布局：第一，支持龙头企业做大做强，提升成线能力。第二，产业聚集，抱团发展，组团出海。第三，继续推进国产装备材料的下游应用。
在近期举办的财新峰会上，华芯投资管理有限责任公司总裁路军就大基金二期的投资方向表示，5G与存储行业将是二期投资重点与重点关注行业。他还认为，存储对于中国的产业和安全都至关重要。尤其是随着5G时代的到来，网络的高速带来的数据量提升需要足够的容量来支持，这是非常好的市场。二期首先会关注已经在一期建立合作关系的公司和项目，例如长江存储、中芯国际、华虹等机构，这60多家公司在逐步发展的过程中需要持续的资本支持。
国内存储器芯片发展加速
存储器作为半导体第一大细分领域，市场空间超过1200亿美元，但存储器行业均呈寡头垄断，国内厂商亟待突破。
存储器行业DRAM/NAND/NOR的资金和技术门槛高，在经历产业转移，企业兼并之后，目前呈垄断竞争格局。DRAM领域三星、SK海力士和美光三足鼎立，CR3（Current Rank 3，业务规模前三名的公司所占的市场份额，后面术语类似）超95%；NAND领域除了DRAM三巨头外还有东芝和西部数据，CR5达97%；NOR领域则由美光、Cypress、旺宏、华邦电和兆易创新垄断，CR5超90%。目前来看，除了NOR Flash有国内厂商身影，其他领域大陆企业均缺席，与国外的技术，规模等差距较大，自主产品亟待突破。
目前，国内布局的三大存储芯片基地，分别为专注于NAND Flash的长江存储（紫光集团旗下）、聚焦于DRAM的合肥长鑫和福建晋华（被美国制裁）。
合肥长鑫专注研发19nm DRAM，主攻移动式内存，这不仅是兆易创新存储芯片全平台的最后一块版图，也是国内20nm以下DRAM唯一厂商。若成功达成规划进度，合肥长鑫将成为继国际三寡头之后，全球第四家量产20nm以下DRAM的公司。未来规划最大产能为12.5万片12寸硅晶圆/月，预计将在全球DRAM市场占得约8%的市场份额，从而填补国产DRAM存储器在本国市场的空白。随着进口替代逐步完成，未来成长空间巨大。
紫光集团旗下长江存储今年9月宣布已开始量产基于Xtacking架构的64层3DNAND闪存，该产品采用长江存储自主知识产权的Xtacking架构技术，拥有同代产品中最高的存储密度和最快的I/O速度。据介绍，该芯片将广泛应用于手机，电脑，服务器，数据中心，智能汽车等领域，提供大容量，高速率，高耐久度的存储解决方案。这款产品的成功量产，也意味着中国在高端芯片设计制造领域零的突破。
另外，紫光集团也在今年6月底宣布成立DRAM事业群，加大布局DRAM存储器。紫光集团布局DRAM由来已久，旗下西安紫光国芯一直专注于存储器尤其是DRAM的产品技术研发，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累。
8月27日，重庆市政府与紫光集团签订重庆紫光存储芯片产业基地项目合作协议，根据协议，双方将聚焦存储芯片领域开展全方位深层次合作。共同加大产业投资，在渝组建存储芯片领域核心产业集团，设立紫光国芯集成电路股份有限公司和重庆紫光集成电路产业基金。完善存储芯片产业链，在渝建设12英寸DRAM存储芯片工厂，布局包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部，建设紫光科技园，引入产业链上下游企业。
随着大基金二期的布局，我们期待着在存储器领域更多国产芯片企业的发展与突破！